利用３０ｋｅＶＨ＋离子注入束辐照大麦种子，结果初步在明：Ｈ＋离子束辐照大麦显著地提高了Ｍ１胚芽细胞的分裂指数，促进了细胞分裂。Ｈ＋离子注入不仅引起胚芽细胞的明显核畸变（双核、小核、微核等），还诱发染色体多种类型畸变（桥、落后、游离、断片等），表现出较高的有丝分裂畸变率与较宽的畸变谱。且在２×１０１６Ｈ＋／ｃｍ２～６×１０１６Ｈ＋／ｃｍ２范围内，注入剂量与畸变率呈正相关，但６×１０１６Ｈ＋／ｃｍ２剂量后又呈下降趋势。为此，提出了Ｈ＋离子注入在大麦诱变育种中可被采用的适宜剂量范围。